从一起芯片发明专利侵权纠纷案谈权利要求的解释规则

作者：常亚春 | 2021.12.21

摘要：发明专利的权利要求书是对说明书的提炼和归纳，是确定专利权保护范围的依据。由于语言文字表达技术方案的局限性，权利要求的解释也就不可避免。一审法院在解读权利要求时，以字面解读和说明书中发明人自称的发明点为依据确定权利要求的保护范围，出现了纰漏。二审法院则结合专利审查档案，客观公正地划定了专利权的保护范围，纠正了一审判决的错误。

(一)

安徽的A公司从事电力电子半导体器件、半导体芯片、电子材料的设备生产、销售及进出口业务。2014年9月3日，A公司向国家知识产权局申请了201410446710.7号“一种晶闸管芯片的结终端结构”的发明专利。2018年7月17日获得授权公告，目前为有效法律状态。

专利权利要求1记载：1.一种晶闸管芯片的结终端结构，包括长基区 N，短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，所述的电压槽成环形结构；其特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构；所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。

专利说明书记载：本发明的目的是提供一种晶闸管芯片的结终端结构，解决现有晶闸管芯片的结终端结构耐压值低、正反向电压严重不对称的问题。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶闸管芯片的结终端结构，包括长基区N，短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，所述的电压槽成环形结构；所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构。所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构。进一步的，所述电压槽侧壁的上沿至少设置有一级台阶结构。优选的，所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。本发明的有益效果：所述电压槽采用台阶结构，可以有效增大电压槽的表面积，降低了P层表面浓度，有利于空间电荷区的展宽，达到降低表面电场强度的效果，提高了工作电压和晶闸管芯片电参数的稳定性、减小了正反向耐压的差距。所述一层台阶结构耐压峰值可以达到1800-3000伏，所述两层台阶结构耐压峰值可以达到3000-4000伏。

浙江B公司成立于2004年8月4日，经营电力电子器件制造、销售。2011年2月23日，B公司向国家知识产权局申请了201120045343.1号“方形晶闸管芯片”实用新型专利。2011年8月31日，该专利获得授权公告。

该实用新型专利权利要求书记载：一种方形晶闸管芯片，包括阴极、硅片和阳极，所述阴极、所述硅片和所述阳极都为扁平状，所述硅片一面贴有阴极，另一面贴有阳极，所述阴极上开有一通孔，所述通孔内设有门极，所述门极、所述阴极、所述硅片和所述阳极表面都搪有焊料，所述门极与所述阴极之间为门环极，其特征在于，所述阴极、所述硅片和所述阳极都为方形。根据权利要求所述的方形晶闸管芯片，其特征在于，所述阳极的尺寸大于所述硅片的尺寸，所述硅片尺寸大于所述阴极尺寸，所述硅片四周为挖槽工艺得到的台面，所述台面表面覆盖有高温玻璃。但该专利文件并未直接披露发明专利201410446710.7权利要求1中记载的台阶结构。

2020年4月，安徽C公司从B公司购买KP23*23mm、KP18*18mm、KP15*15mm、KP13*13mm四种规格方形芯片700片。在收到产品后，C公司于同日将芯片送至A公司进行测试。A公司遂于第二天与C公司签订《产品销售合同》，回购该批次产品，并进行了公证。随后，A公司以B公司产品侵害其发明专利201410446710.7专利权为由，将B公司和C公司共同诉至法院，要求B公司停止侵权并赔偿经济损失100万元等。

在一审中，B公司认为检测报告显示被诉侵权产品斜面只有一级台阶结构，没有二级台阶结构，与涉案专利附图二一致，但与附图三不同。涉案专利说明书的第20-22段可以说明涉案专利是二级台阶结构，涉案专利的创新点是具备有两级及以上台阶结构。简言之，涉案专利创新点在于二级及以上台阶结构，而被诉侵权产品只有一级台阶结构，故不构成侵权。

被诉侵权产品的剖视图：

涉案专利附图2和3：

一审法院认为，涉案专利的权利要求1所描述的特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构；所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。从上述权利要求的文义可看，设置台阶结构有“均”字，而二级台阶结构没有要求“均”设置。因此，所述电压槽两侧壁的上沿设置有台阶结构即是其创新点，并不强求一定要有二级台阶结构。为了避免对也许无心的“均”字做过度解读，还有必要结合专利说明书来解释。说明书第4段最后一句有“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”，紧接着第5段有“进一步的，所述电压槽侧壁的上沿至少设置有一级台阶结构”，再紧接着第6段有“优选的，所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”。该说明再次表明，一级台阶设置即是涉案专利的创新点，而二级台阶设置是进阶版。此外，说明第10段称“图2为本发明一级台阶结构的局部剖视图”，第11段称“图3为本发明二级台阶结构的局部剖视图”。第12段所举的“实施例1”也正是与图2所示相同的具体实施方式。最终没有支持B公司的抗辩理由，认为被诉侵权产品落入了涉案专利权利要求1的保护范围，构成等同侵权。

收到一审判决后，代理律师调取了涉案发明专利在国家知识产权局实质审查阶段的审查档案。经查，涉案发明专利公开的权利要求书共记载了8项专利要求，其中权利要求1至4内容如下：

1. 一种晶闸管芯片的结终端结构，包括长基区N，短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，所述的电压槽成环形结构；其特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构。

2. 如权利要求1所述的晶闸管芯片的结终端结构，其特征在于：所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构。

3. 如权利要求2所述的晶闸管芯片的结终端结构，其特征在于：所述电压槽侧壁的上沿至少设置有一级台阶结构。

4. 如权利要求3所述的晶闸管芯片的结终端结构，其特征在于：所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。

国家知识产权局在2017年5月26日签发的《第一次审查意见通知书》中指出涉案专利公开版本的权利要求1-3，5，7，8不具有专利法第22条第3款规定的创造性，同时，还明确指出权利要求2-3即“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”这一技术特征已经被对比文件3（CN1199930A）公开，不具有专利法第22条第3款规定的创造性。

A公司针对《第一次审查意见通知书》指出的缺陷对其权利要求书进行了修改，修改后的权利要求书共5项权利要求，其中权利要求1为：

1. 一种晶闸管芯片的结终端结构，包括长基区N，短基区P1、P2，隔离墙，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，所述的电压槽成环形结构；其特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构；所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿至少设置有一级台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构。

针对第一次修改后的权利要求书，国家知识产权局又发出了《第二次审查意见通知书》，指出：权利要求1中限定了“所述电压槽侧壁的上沿至少设置有一级台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”，其中“至少设置有一级台阶结构”与“设置有二级台阶结构”限定出了不同的保护范围，导致权利要求保护范围不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。

针对《第二次审查意见通知书》指出的缺陷，A公司再次对权利要求书进行了修改，成为前文所述的权利要求1的最终授权版本。

结合涉案专利的审查文件记载的内容，B公司向最高人民法院提起了上诉，并指出，根据最高人民法院《关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》（法释【2009】21号）第三条的规定，人民法院对于权利要求，可以运用说明书及附图、权利要求书中的相关权利要求、专利审查档案进行解释。说明书对权利要求用语有特别界定的，从其特别界定。以上述方法仍不能明确权利要求含义的，可以结合工具书、教科书等公知文献以及本领域普通技术人员的通常理解进行解释。原审法院仅依据涉案专利说明书记载的内容，特别是专利权人自称的发明点对涉案专利权利要求进行解释，不符合最高院司法解释的相关规定，一审法院存在认定事实和适用法律错误的问题，请求二审法院予以改判。

二审法院经过审理认为，首先，关于上述技术特征的理解。从权利要求1的撰写来看，“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”和“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”两技术特征，在后的技术特征“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”是对在先技术特征“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”的进一步限定，并非芯微公司主张的两技术特征是“或”的关系。从涉案专利说明书记载的内容来看，“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”的技术特征是涉案专利为了解决晶闸管芯片的结终端结构耐压值低、正反向电压严重不对称问题的一个总的发明构思和技术手段，“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”的技术特征对应于说明书中的第二个实施例，是对前述总的发明构思和技术手段的进一步具体化。从涉案专利申请授权阶段的审查文档来看，“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”和“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”两技术特征分别是专利申请时原权利要求2和4的附加技术特征，在答复原权利要求1至3不具有创造性的审查意见时，专利权人将上述技术特征合并到原独立权利要求1中形成授权公告的权利要求1。另外，根据本领域的现有技术以及当事人确认，对晶闸管芯片而言，电压槽两侧壁的上沿设置台阶结构时，两侧的台阶结构的级数应当是一致的，不会出现一侧设置一级台阶结构而另一侧设置二级台阶结构的情况。综上可以确定，权利要求1中“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”是对“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”对进一步限定，两技术特征共同限定的技术方案应当理解为“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有二级台阶结构”。故在本案技术比对时，应将涉案专利中“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构”与“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”划分为一个技术特征单元进行比对。进而，在本部分应当解决的问题应为被诉侵权技术方案的相应特征与权利要求中1记载的技术特征“所述电压槽两侧壁的上沿均设置有台阶结构；所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”是否相同或者等同这一问题，而非被诉侵权技术方案是否缺少涉案专利权利要求1中“所述电压槽侧壁的上沿设置有二级台阶结构”这一技术特征的问题。最终最高人民法院支持了B公司的上诉请求，驳回了A公司的全部诉讼请求。

（二）

本案涉及的是专利类案件中最常见的权利要求解释规则问题。我们知道，在专利制度建立的初期，各国专利申请文件和专利文件中都不包括权利要求书，只包括一个类似今天专利说明书的文件来详细说明发明的内容。在确定专利权保护范围时，要由法官将授予专利权的发明创造与现有技术进行比对，对说明书的内容进行提炼，归纳出发明创造的实质和核心。但由此带来的问题是，在法院作出裁判之前，公众很难预料法官会如何确定专利权的保护范围，从而给专利保护带来了很大的不确定性。

为解决这一难题，在英国、德国等国家，由专利申请人自发开始在专利文件中写出权利要求书，而非法律的强制规定。美国是率先在专利法中明确规定专利申请文件和专利文件中应当包括权利要求书的国家，随后其他国家也相继采纳。我国《专利法实施细则》所规定的发明或者实用新型的独立权利要求的撰写方式包括前序部分和特征部分，这种方式英文叫作“Jepson写法”，被《欧洲专利公约》和PCT所推崇。权利要求书的作用是明确专利申请和专利权的保护范围，有了权利要求书的专利制度才成为现代意义的专利制度。

鉴于权利要求书是对发明创造技术方案的高度提炼和总结，由于使用语言文字表达技术方案本身的局限性，因此，不可避免的要对发生争议的技术特征、技术方案进行合理恰当的解释以明确专利权的保护范围。北京市高级人民法院制定的《专利侵权判定指南（2017）》第15条对专利权利要求解释规则作出了规定：

15.解释权利要求，可以使用专利说明书及附图、权利要求书中的相关权利要求、与涉案专利存在分案申请关系的其他专利以及上述专利的专利审查档案、生效的专利授权确权裁判文书所记载的内容。

上述方法仍不能明确权利要求含义的，可以结合工具书、教科书等公知文献及本领域普通技术人员的通常理解进行解释。

本指南所称专利审查档案，包括专利审查、复审、无效程序中专利申请人或者专利权人提交的书面材料，国务院专利行政部门及其专利复审委员会制作的审查意见通知书、会晤记录、口头审理记录、生效的专利复审请求审查决定书和专利权无效宣告请求审查决定书等。

在这一条中明确了专利权利要求的解释规则，其中第一款被称为“内部证据”，第二款为“外部证据”，具体运用时采取内部证据优于外部证据的基本规则。本文案例中，二审法院作出裁判依据的专利审查档案属于内部证据，只有在内部证据不足以解释清楚权利要求时才会使用外部证据进行解释。涉案专利实质审查阶段的审查档案完全可以解释其权利要求1的保护范围，因此，不需要脱离内部证据去通过字面的个人理解进行解释，本案一审法院在适用专利权利要求解释规则中出现了纰漏。